碳化硅柱式膜系统
碳化硅柱式膜超滤法是以压力为推动力的膜分离技术，其过滤以膜两侧压差为驱动力，以机械筛分原理为基础的一种溶液分离过程。
超滤的清洗工艺包括物理清洗工艺和化学清洗工艺。物理清洗工艺包括反冲（back wash）和正冲（feed flush）。反冲 BW 即为采用水流方向与产水方向相反的方式，反冲水从膜组件的产水端进入，水流透过膜孔，可以清除膜孔深层和膜表面的污染物；正冲 FF 则去除反冲残留的污染物，并排出在膜组件的气体。
化学清洗工艺包括化学加强反冲 CEB和化学清洗 CIP等。化学加强反冲 CEB 和化学清洗 CIP 则通过化学药剂来清除胶体、有机物、无机盐等在超滤膜表面和内部形成的污染。清洗频率提高、清洗强度增大都有利于更彻底地清除各类污染物。
01
碳化硅陶瓷柱式膜系统运行模式
碳化硅柱式膜超滤膜系统根据进水水质和产水要求，可以底部或顶部进水、死端或错流过滤多种模式运行。
1. 底部进水、死端/错流过滤
2. 顶部进水、死端/错流过滤
02
碳化硅陶瓷柱式膜系统运行过程
1.注水
打开顶部排气阀，向碳化硅陶瓷超滤膜中通入进水，排空系统中的空气。
运行时机：
·系统首次运行；
·碳化硅陶瓷超滤膜内液体排空。
运行时长：2-3 min。
水源：进水。
2.过滤
进水通过碳化硅陶瓷超滤膜，污染物被膜截留，净水从产水侧流出。随着过滤的进行，污染物在膜表面堆积，跨膜压差（TMP）逐渐上升至过滤结束，系统自动转入反冲洗。
运行时机：注水或正洗结束，正常运行产水。
运行时长：20-60min。
水源：进水。
3.上反洗
过滤结束后，反洗水从产水口进入膜内部，与运行产水相反的方向透过膜孔，并从上排阀排出系统；上反洗能清洗膜组件上端区域。
运行时机：过滤步骤结束后，自控程序自动转入上反洗。
运行时长：10-15s。
水源：产水。
4.下反洗
上反洗结束，反洗水继续从产水侧反向通过膜组件，并从下排阀排出系统。下反洗能清洗膜组件下端区域。
运行时机：上反洗结束后，直接转入下反洗过程。
运行时长：10-15s。
水源：产水。
5.正洗
反洗结束后，向膜组件正向通入冲洗水，将剩余的固体污染物排出毛细管道。正洗过程不会有产水产生。
运行时机：下反洗结束后。
运行时长：10-30s。
水源：进水。
03
化学清洗操作
01 化学加强清洗（CEB）
CEB（Chemical Enhanced Backwash）是在反洗水中投加化学药品以提高清洗效果，其频率可以根据“运行时间”或“标准反冲循环次数”设定，通常每12-72h进行一次。
CEB过程：
·CEB过程包括常规反洗（选用）→加入化学药剂反洗→浸泡→常规反洗→正洗。
·CEB与常规反洗步骤相同，但其在投加化学药剂后增加了10-20min的浸泡步骤。
CEB药剂：
·标准清洗药剂：NaClO（300-1000ppm）
·其他碱性药剂：NaOH（单独或与NaClO合用，调节pH10-11）
·酸性药剂：HCl（针对易结垢水质，调节pH2-4）
PS：执行CEB前，必须对CEB反洗水进行滴定测试浊度。
02 化学维护清洗（mCIP）
mCIP（maintenance Clean In Place）是延长两次化学清洗之间连续运行时长的一种维护性清洗工艺，其频率可以根据“运行时间”、“标准反冲循环次数”或“最高TMP 触发点”设定。
注意：执行mCIP前和后，均需进行至少2次常规反洗+正洗。
mCIP过程：（反洗→正洗）≥2次→开始mCIP→循环→系统排空→（反洗→正洗）≥2次
注意：
·开始和结束时均需要进行至少2次的反洗+正洗。
·上述mCIP过程为一种药剂的循环清洗，第二种药剂清洗时从开始mCIP步骤重复。
03 就地化学清洗（CIP）
CIP（ Clean In Place ）是将膜的渗透性恢复到清洁状态的清洁工艺，频率受给水水质影响，通常每1~3月进行一次，每次耗时4~8h。
注意：
·执行CIP前后,均需要进行至少2次常规反洗+正洗。
·清洗用水水质要求同mCIP。
CIP过程：（反洗→正洗）≥2次→开始CIP→循环→系统排空→（反洗→正洗）≥2次
·开始和结束时均需要进行至少2次的反洗+正洗。
·上述CIP过程为一种药剂的循环清洗，第二种药剂清洗时从开始CIP步骤重复。
04 程序控制步序表
1.膜系统运行程序
碳化硅陶瓷超滤膜系统运行程序控制步序表（参考）
2.膜系统化学加强清洗程序（CEB）
碳化硅陶瓷超滤膜系统CEB程序控制步序表（参考）
3.膜系统化学维护清洗程序（mCIP）
4.膜系统就地化学清洗（CIP）
碳化硅陶瓷超滤膜系统CIP程序控制步序表（参考）
考虑到不同系统的进水水质差异较大，具体的运行及清洗参数、步序等需要根据现场调试情况最终确定，上述内容仅供参考，若您想了解更详细的内容，可随时留言咨询。